IRFBE30STRLPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Artikelnummer
IRFBE30STRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25830 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE30STRLPBF
IRFBE30STRLPBF Elektroniska komponenter
IRFBE30STRLPBF Försäljning
IRFBE30STRLPBF Leverantör
IRFBE30STRLPBF Distributör
IRFBE30STRLPBF Datatabell
IRFBE30STRLPBF Foton
IRFBE30STRLPBF Pris
IRFBE30STRLPBF Erbjudande
IRFBE30STRLPBF Lägsta pris
IRFBE30STRLPBF Sök
IRFBE30STRLPBF Köp av
IRFBE30STRLPBF Chip