IRFBE30SPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Artikelnummer
IRFBE30SPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54817 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF Elektroniska komponenter
IRFBE30SPBF Försäljning
IRFBE30SPBF Leverantör
IRFBE30SPBF Distributör
IRFBE30SPBF Datatabell
IRFBE30SPBF Foton
IRFBE30SPBF Pris
IRFBE30SPBF Erbjudande
IRFBE30SPBF Lägsta pris
IRFBE30SPBF Sök
IRFBE30SPBF Köp av
IRFBE30SPBF Chip