IRFBE30S
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Artikelnummer
IRFBE30S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19946 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE30S
IRFBE30S Elektroniska komponenter
IRFBE30S Försäljning
IRFBE30S Leverantör
IRFBE30S Distributör
IRFBE30S Datatabell
IRFBE30S Foton
IRFBE30S Pris
IRFBE30S Erbjudande
IRFBE30S Lägsta pris
IRFBE30S Sök
IRFBE30S Köp av
IRFBE30S Chip