IRFBE30PBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBE30PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42308 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE30PBF
IRFBE30PBF Elektroniska komponenter
IRFBE30PBF Försäljning
IRFBE30PBF Leverantör
IRFBE30PBF Distributör
IRFBE30PBF Datatabell
IRFBE30PBF Foton
IRFBE30PBF Pris
IRFBE30PBF Erbjudande
IRFBE30PBF Lägsta pris
IRFBE30PBF Sök
IRFBE30PBF Köp av
IRFBE30PBF Chip