IRFBE30LPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Artikelnummer
IRFBE30LPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48235 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE30LPBF
IRFBE30LPBF Elektroniska komponenter
IRFBE30LPBF Försäljning
IRFBE30LPBF Leverantör
IRFBE30LPBF Distributör
IRFBE30LPBF Datatabell
IRFBE30LPBF Foton
IRFBE30LPBF Pris
IRFBE30LPBF Erbjudande
IRFBE30LPBF Lägsta pris
IRFBE30LPBF Sök
IRFBE30LPBF Köp av
IRFBE30LPBF Chip