IRFBE30L
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Artikelnummer
IRFBE30L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40696 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE30L
IRFBE30L Elektroniska komponenter
IRFBE30L Försäljning
IRFBE30L Leverantör
IRFBE30L Distributör
IRFBE30L Datatabell
IRFBE30L Foton
IRFBE30L Pris
IRFBE30L Erbjudande
IRFBE30L Lägsta pris
IRFBE30L Sök
IRFBE30L Köp av
IRFBE30L Chip