Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRFBE30

IRFBE30

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBE30
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43084 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRFBE30
IRFBE30 Elektroniska komponenter
IRFBE30 Försäljning
IRFBE30 Leverantör
IRFBE30 Distributör
IRFBE30 Datatabell
IRFBE30 Foton
IRFBE30 Pris
IRFBE30 Erbjudande
IRFBE30 Lägsta pris
IRFBE30 Sök
IRFBE30 Köp av
IRFBE30 Chip