IRFBE20STRR
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Artikelnummer
IRFBE20STRR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16266 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE20STRR
IRFBE20STRR Elektroniska komponenter
IRFBE20STRR Försäljning
IRFBE20STRR Leverantör
IRFBE20STRR Distributör
IRFBE20STRR Datatabell
IRFBE20STRR Foton
IRFBE20STRR Pris
IRFBE20STRR Erbjudande
IRFBE20STRR Lägsta pris
IRFBE20STRR Sök
IRFBE20STRR Köp av
IRFBE20STRR Chip