IRFBE20STRL
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Artikelnummer
IRFBE20STRL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29651 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE20STRL
IRFBE20STRL Elektroniska komponenter
IRFBE20STRL Försäljning
IRFBE20STRL Leverantör
IRFBE20STRL Distributör
IRFBE20STRL Datatabell
IRFBE20STRL Foton
IRFBE20STRL Pris
IRFBE20STRL Erbjudande
IRFBE20STRL Lägsta pris
IRFBE20STRL Sök
IRFBE20STRL Köp av
IRFBE20STRL Chip