Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRFBE20S
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Artikelnummer
IRFBE20S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51698 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE20S
IRFBE20S Elektroniska komponenter
IRFBE20S Försäljning
IRFBE20S Leverantör
IRFBE20S Distributör
IRFBE20S Datatabell
IRFBE20S Foton
IRFBE20S Pris
IRFBE20S Erbjudande
IRFBE20S Lägsta pris
IRFBE20S Sök
IRFBE20S Köp av
IRFBE20S Chip