IRFBE20L
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
Artikelnummer
IRFBE20L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44304 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE20L
IRFBE20L Elektroniska komponenter
IRFBE20L Försäljning
IRFBE20L Leverantör
IRFBE20L Distributör
IRFBE20L Datatabell
IRFBE20L Foton
IRFBE20L Pris
IRFBE20L Erbjudande
IRFBE20L Lägsta pris
IRFBE20L Sök
IRFBE20L Köp av
IRFBE20L Chip