IRFBE20
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBE20
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
54W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34199 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE20
IRFBE20 Elektroniska komponenter
IRFBE20 Försäljning
IRFBE20 Leverantör
IRFBE20 Distributör
IRFBE20 Datatabell
IRFBE20 Foton
IRFBE20 Pris
IRFBE20 Erbjudande
IRFBE20 Lägsta pris
IRFBE20 Sök
IRFBE20 Köp av
IRFBE20 Chip