IRFBC40LCPBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBC40LCPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37278 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBC40LCPBF
IRFBC40LCPBF Elektroniska komponenter
IRFBC40LCPBF Försäljning
IRFBC40LCPBF Leverantör
IRFBC40LCPBF Distributör
IRFBC40LCPBF Datatabell
IRFBC40LCPBF Foton
IRFBC40LCPBF Pris
IRFBC40LCPBF Erbjudande
IRFBC40LCPBF Lägsta pris
IRFBC40LCPBF Sök
IRFBC40LCPBF Köp av
IRFBC40LCPBF Chip