IRFBC30S
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Artikelnummer
IRFBC30S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26395 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBC30S
IRFBC30S Elektroniska komponenter
IRFBC30S Försäljning
IRFBC30S Leverantör
IRFBC30S Distributör
IRFBC30S Datatabell
IRFBC30S Foton
IRFBC30S Pris
IRFBC30S Erbjudande
IRFBC30S Lägsta pris
IRFBC30S Sök
IRFBC30S Köp av
IRFBC30S Chip