IRFBC30LPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
Artikelnummer
IRFBC30LPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262-3
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33657 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBC30LPBF
IRFBC30LPBF Elektroniska komponenter
IRFBC30LPBF Försäljning
IRFBC30LPBF Leverantör
IRFBC30LPBF Distributör
IRFBC30LPBF Datatabell
IRFBC30LPBF Foton
IRFBC30LPBF Pris
IRFBC30LPBF Erbjudande
IRFBC30LPBF Lägsta pris
IRFBC30LPBF Sök
IRFBC30LPBF Köp av
IRFBC30LPBF Chip