IRFBC20L
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
Artikelnummer
IRFBC20L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14415 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBC20L
IRFBC20L Elektroniska komponenter
IRFBC20L Försäljning
IRFBC20L Leverantör
IRFBC20L Distributör
IRFBC20L Datatabell
IRFBC20L Foton
IRFBC20L Pris
IRFBC20L Erbjudande
IRFBC20L Lägsta pris
IRFBC20L Sök
IRFBC20L Köp av
IRFBC20L Chip