IRFBC20
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBC20
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39918 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBC20
IRFBC20 Elektroniska komponenter
IRFBC20 Försäljning
IRFBC20 Leverantör
IRFBC20 Distributör
IRFBC20 Datatabell
IRFBC20 Foton
IRFBC20 Pris
IRFBC20 Erbjudande
IRFBC20 Lägsta pris
IRFBC20 Sök
IRFBC20 Köp av
IRFBC20 Chip