IRFB17N60K
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB17N60K
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
340W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
99nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7283 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB17N60K
IRFB17N60K Elektroniska komponenter
IRFB17N60K Försäljning
IRFB17N60K Leverantör
IRFB17N60K Distributör
IRFB17N60K Datatabell
IRFB17N60K Foton
IRFB17N60K Pris
IRFB17N60K Erbjudande
IRFB17N60K Lägsta pris
IRFB17N60K Sök
IRFB17N60K Köp av
IRFB17N60K Chip