Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
Artikelnummer
2N7002E-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
-
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
240mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
21pF @ 5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9038 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av 2N7002E-T1-GE3
2N7002E-T1-GE3 Elektroniska komponenter
2N7002E-T1-GE3 Försäljning
2N7002E-T1-GE3 Leverantör
2N7002E-T1-GE3 Distributör
2N7002E-T1-GE3 Datatabell
2N7002E-T1-GE3 Foton
2N7002E-T1-GE3 Pris
2N7002E-T1-GE3 Erbjudande
2N7002E-T1-GE3 Lägsta pris
2N7002E-T1-GE3 Sök
2N7002E-T1-GE3 Köp av
2N7002E-T1-GE3 Chip