2N6661JTVP02
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Artikelnummer
2N6661JTVP02
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Leverantörsenhetspaket
TO-39
Effektförlust (max)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
90V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
860mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26307 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av 2N6661JTVP02
2N6661JTVP02 Elektroniska komponenter
2N6661JTVP02 Försäljning
2N6661JTVP02 Leverantör
2N6661JTVP02 Distributör
2N6661JTVP02 Datatabell
2N6661JTVP02 Foton
2N6661JTVP02 Pris
2N6661JTVP02 Erbjudande
2N6661JTVP02 Lägsta pris
2N6661JTVP02 Sök
2N6661JTVP02 Köp av
2N6661JTVP02 Chip