Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
TPH6R30ANL,L1Q

TPH6R30ANL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Artikelnummer
TPH6R30ANL,L1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-SOP Advance (5x5)
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 54W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
66A (Ta), 45A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4300pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13520 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av TPH6R30ANL,L1Q
TPH6R30ANL,L1Q Elektroniska komponenter
TPH6R30ANL,L1Q Försäljning
TPH6R30ANL,L1Q Leverantör
TPH6R30ANL,L1Q Distributör
TPH6R30ANL,L1Q Datatabell
TPH6R30ANL,L1Q Foton
TPH6R30ANL,L1Q Pris
TPH6R30ANL,L1Q Erbjudande
TPH6R30ANL,L1Q Lägsta pris
TPH6R30ANL,L1Q Sök
TPH6R30ANL,L1Q Köp av
TPH6R30ANL,L1Q Chip