TPH2R608NH,L1Q
MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
Artikelnummer
TPH2R608NH,L1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-SOP Advance (5x5)
Effektförlust (max)
142W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 37.5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12677 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH2R608NH,L1Q
TPH2R608NH,L1Q Elektroniska komponenter
TPH2R608NH,L1Q Försäljning
TPH2R608NH,L1Q Leverantör
TPH2R608NH,L1Q Distributör
TPH2R608NH,L1Q Datatabell
TPH2R608NH,L1Q Foton
TPH2R608NH,L1Q Pris
TPH2R608NH,L1Q Erbjudande
TPH2R608NH,L1Q Lägsta pris
TPH2R608NH,L1Q Sök
TPH2R608NH,L1Q Köp av
TPH2R608NH,L1Q Chip