TPH1R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Artikelnummer
TPH1R712MD,L1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVI
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-SOP Advance (5x5)
Effektförlust (max)
78W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
182nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10900pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37553 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH1R712MD,L1Q
TPH1R712MD,L1Q Elektroniska komponenter
TPH1R712MD,L1Q Försäljning
TPH1R712MD,L1Q Leverantör
TPH1R712MD,L1Q Distributör
TPH1R712MD,L1Q Datatabell
TPH1R712MD,L1Q Foton
TPH1R712MD,L1Q Pris
TPH1R712MD,L1Q Erbjudande
TPH1R712MD,L1Q Lägsta pris
TPH1R712MD,L1Q Sök
TPH1R712MD,L1Q Köp av
TPH1R712MD,L1Q Chip