TK7P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Artikelnummer
TK7P65W,RQ
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18227 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK7P65W,RQ
TK7P65W,RQ Elektroniska komponenter
TK7P65W,RQ Försäljning
TK7P65W,RQ Leverantör
TK7P65W,RQ Distributör
TK7P65W,RQ Datatabell
TK7P65W,RQ Foton
TK7P65W,RQ Pris
TK7P65W,RQ Erbjudande
TK7P65W,RQ Lägsta pris
TK7P65W,RQ Sök
TK7P65W,RQ Köp av
TK7P65W,RQ Chip