köpa Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3566(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

2SK3566(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS

Artikelnummer

2SK3566(STA4,Q,M)

Tillverkare/varumärke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serier

π-MOSIV

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

150°C (TJ)

Monteringstyp

Through Hole

Paket/fodral

TO-220-3 Full Pack

Leverantörsenhetspaket

TO-220SIS

Effektförlust (max)

40W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

900V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

2.5A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

6.4 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±30V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 23723 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

2SK3003

MOSFET N-CH 200V TO-220F

Sanken

2SK3003

MOSFET N-CH 200V TO-220F

Sanken

2SK3003

MOSFET N-CH 200V TO-220F

Sanken

2SK3004

MOSFET N-CH 250V TO-220F

Sanken

2SK3004

MOSFET N-CH 250V TO-220F

Sanken

2SK3004

MOSFET N-CH 250V TO-220F

Sanken