2SK3313(Q)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
Artikelnummer
2SK3313(Q)
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220NIS
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2040pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26902 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av 2SK3313(Q)
2SK3313(Q) Elektroniska komponenter
2SK3313(Q) Försäljning
2SK3313(Q) Leverantör
2SK3313(Q) Distributör
2SK3313(Q) Datatabell
2SK3313(Q) Foton
2SK3313(Q) Pris
2SK3313(Q) Erbjudande
2SK3313(Q) Lägsta pris
2SK3313(Q) Sök
2SK3313(Q) Köp av
2SK3313(Q) Chip