2SK2917(F)
MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN
Artikelnummer
2SK2917(F)
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3P(N)IS
Effektförlust (max)
90W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3720pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42411 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av 2SK2917(F)
2SK2917(F) Elektroniska komponenter
2SK2917(F) Försäljning
2SK2917(F) Leverantör
2SK2917(F) Distributör
2SK2917(F) Datatabell
2SK2917(F) Foton
2SK2917(F) Pris
2SK2917(F) Erbjudande
2SK2917(F) Lägsta pris
2SK2917(F) Sök
2SK2917(F) Köp av
2SK2917(F) Chip