CSD19506KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Artikelnummer
CSD19506KTT
Tillverkare/varumärke
Serier
NexFET™
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Leverantörsenhetspaket
DDPAK/TO-263-3
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
156nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12200pF @ 40V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20337 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av CSD19506KTT
CSD19506KTT Elektroniska komponenter
CSD19506KTT Försäljning
CSD19506KTT Leverantör
CSD19506KTT Distributör
CSD19506KTT Datatabell
CSD19506KTT Foton
CSD19506KTT Pris
CSD19506KTT Erbjudande
CSD19506KTT Lägsta pris
CSD19506KTT Sök
CSD19506KTT Köp av
CSD19506KTT Chip