CSD13306W
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Artikelnummer
CSD13306W
Tillverkare/varumärke
Serier
NexFET™
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-UFBGA, DSBGA
Leverantörsenhetspaket
6-DSBGA (1x1.5)
Effektförlust (max)
1.9W (Ta)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11.2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1370pF @ 6V
Vgs (max)
±10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52808 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av CSD13306W
CSD13306W Elektroniska komponenter
CSD13306W Försäljning
CSD13306W Leverantör
CSD13306W Distributör
CSD13306W Datatabell
CSD13306W Foton
CSD13306W Pris
CSD13306W Erbjudande
CSD13306W Lägsta pris
CSD13306W Sök
CSD13306W Köp av
CSD13306W Chip