köpa Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB260CI C0G MOSFET N-CH 600V 13A ITO220

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

TSM60NB260CI C0G

MOSFET N-CH 600V 13A ITO220

Artikelnummer

TSM60NB260CI C0G

Tillverkare/varumärke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serier

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Through Hole

Paket/fodral

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Leverantörsenhetspaket

ITO-220

Effektförlust (max)

32.1W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

600V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

13A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

260 mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1273pF @ 100V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±30V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 18492 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter