köpa Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 RNG MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

TSM60NB190CM2 RNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Artikelnummer

TSM60NB190CM2 RNG

Tillverkare/varumärke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serier

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Leverantörsenhetspaket

TO-263 (D²Pak)

Effektförlust (max)

150.6W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

600V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1273pF @ 100V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±30V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 20597 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter