köpa Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CH C5G MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

TSM60N900CH C5G

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251

Artikelnummer

TSM60N900CH C5G

Tillverkare/varumärke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serier

Sektionsstatus

Not For New Designs

Förpackning

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Through Hole

Paket/fodral

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Leverantörsenhetspaket

TO-251 (IPAK)

Effektförlust (max)

50W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

600V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

4.5A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 100V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±30V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 23464 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter