TSM1NB60SCT B0G
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Artikelnummer
TSM1NB60SCT B0G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Leverantörsenhetspaket
TO-92
Effektförlust (max)
2.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
138pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24603 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM1NB60SCT B0G
TSM1NB60SCT B0G Elektroniska komponenter
TSM1NB60SCT B0G Försäljning
TSM1NB60SCT B0G Leverantör
TSM1NB60SCT B0G Distributör
TSM1NB60SCT B0G Datatabell
TSM1NB60SCT B0G Foton
TSM1NB60SCT B0G Pris
TSM1NB60SCT B0G Erbjudande
TSM1NB60SCT B0G Lägsta pris
TSM1NB60SCT B0G Sök
TSM1NB60SCT B0G Köp av
TSM1NB60SCT B0G Chip