TSM1NB60CW RPG
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Artikelnummer
TSM1NB60CW RPG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
39W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
138pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17027 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM1NB60CW RPG
TSM1NB60CW RPG Elektroniska komponenter
TSM1NB60CW RPG Försäljning
TSM1NB60CW RPG Leverantör
TSM1NB60CW RPG Distributör
TSM1NB60CW RPG Datatabell
TSM1NB60CW RPG Foton
TSM1NB60CW RPG Pris
TSM1NB60CW RPG Erbjudande
TSM1NB60CW RPG Lägsta pris
TSM1NB60CW RPG Sök
TSM1NB60CW RPG Köp av
TSM1NB60CW RPG Chip