TSM120N10PQ56 RLG
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Artikelnummer
TSM120N10PQ56 RLG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
8-PDFN (5x6)
Effektförlust (max)
36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
145nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3902pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54426 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM120N10PQ56 RLG
TSM120N10PQ56 RLG Elektroniska komponenter
TSM120N10PQ56 RLG Försäljning
TSM120N10PQ56 RLG Leverantör
TSM120N10PQ56 RLG Distributör
TSM120N10PQ56 RLG Datatabell
TSM120N10PQ56 RLG Foton
TSM120N10PQ56 RLG Pris
TSM120N10PQ56 RLG Erbjudande
TSM120N10PQ56 RLG Lägsta pris
TSM120N10PQ56 RLG Sök
TSM120N10PQ56 RLG Köp av
TSM120N10PQ56 RLG Chip