TSM110NB04CR
40V 54A 11MO N-CHANNEL POWER MOS
Artikelnummer
TSM110NB04CR
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
8-PDFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 54A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1443pF @ 20V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38637 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM110NB04CR
TSM110NB04CR Elektroniska komponenter
TSM110NB04CR Försäljning
TSM110NB04CR Leverantör
TSM110NB04CR Distributör
TSM110NB04CR Datatabell
TSM110NB04CR Foton
TSM110NB04CR Pris
TSM110NB04CR Erbjudande
TSM110NB04CR Lägsta pris
TSM110NB04CR Sök
TSM110NB04CR Köp av
TSM110NB04CR Chip