TSM061NA03CV RGG
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Artikelnummer
TSM061NA03CV RGG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerWDFN
Leverantörsenhetspaket
8-PDFN (3x3)
Effektförlust (max)
44.6W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1136pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26796 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM061NA03CV RGG
TSM061NA03CV RGG Elektroniska komponenter
TSM061NA03CV RGG Försäljning
TSM061NA03CV RGG Leverantör
TSM061NA03CV RGG Distributör
TSM061NA03CV RGG Datatabell
TSM061NA03CV RGG Foton
TSM061NA03CV RGG Pris
TSM061NA03CV RGG Erbjudande
TSM061NA03CV RGG Lägsta pris
TSM061NA03CV RGG Sök
TSM061NA03CV RGG Köp av
TSM061NA03CV RGG Chip