STW8N120K5
MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247
Artikelnummer
STW8N120K5
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ K5
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
130W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
505pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48393 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STW8N120K5
STW8N120K5 Elektroniska komponenter
STW8N120K5 Försäljning
STW8N120K5 Leverantör
STW8N120K5 Distributör
STW8N120K5 Datatabell
STW8N120K5 Foton
STW8N120K5 Pris
STW8N120K5 Erbjudande
STW8N120K5 Lägsta pris
STW8N120K5 Sök
STW8N120K5 Köp av
STW8N120K5 Chip