STH260N6F6-6
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Artikelnummer
STH260N6F6-6
Tillverkare/varumärke
Serier
DeepGATE™, STripFET™ VI
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Leverantörsenhetspaket
H2PAK-6
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
183nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14408 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STH260N6F6-6
STH260N6F6-6 Elektroniska komponenter
STH260N6F6-6 Försäljning
STH260N6F6-6 Leverantör
STH260N6F6-6 Distributör
STH260N6F6-6 Datatabell
STH260N6F6-6 Foton
STH260N6F6-6 Pris
STH260N6F6-6 Erbjudande
STH260N6F6-6 Lägsta pris
STH260N6F6-6 Sök
STH260N6F6-6 Köp av
STH260N6F6-6 Chip