STE180NE10
MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
Artikelnummer
STE180NE10
Tillverkare/varumärke
Serier
STripFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
ISOTOP
Leverantörsenhetspaket
ISOTOP®
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
795nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
21000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8468 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STE180NE10
STE180NE10 Elektroniska komponenter
STE180NE10 Försäljning
STE180NE10 Leverantör
STE180NE10 Distributör
STE180NE10 Datatabell
STE180NE10 Foton
STE180NE10 Pris
STE180NE10 Erbjudande
STE180NE10 Lägsta pris
STE180NE10 Sök
STE180NE10 Köp av
STE180NE10 Chip