Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
STB35N65DM2
NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28
Artikelnummer
STB35N65DM2
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ M2
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
210W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 100V
Vgs (max)
±25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18151 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STB35N65DM2
STB35N65DM2 Elektroniska komponenter
STB35N65DM2 Försäljning
STB35N65DM2 Leverantör
STB35N65DM2 Distributör
STB35N65DM2 Datatabell
STB35N65DM2 Foton
STB35N65DM2 Pris
STB35N65DM2 Erbjudande
STB35N65DM2 Lägsta pris
STB35N65DM2 Sök
STB35N65DM2 Köp av
STB35N65DM2 Chip