RS1G120MNTB
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Artikelnummer
RS1G120MNTB
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
8-HSOP
Effektförlust (max)
3W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16.2 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19827 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RS1G120MNTB
RS1G120MNTB Elektroniska komponenter
RS1G120MNTB Försäljning
RS1G120MNTB Leverantör
RS1G120MNTB Distributör
RS1G120MNTB Datatabell
RS1G120MNTB Foton
RS1G120MNTB Pris
RS1G120MNTB Erbjudande
RS1G120MNTB Lägsta pris
RS1G120MNTB Sök
RS1G120MNTB Köp av
RS1G120MNTB Chip