RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Artikelnummer
RQ3E160ADTB
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-HSMT (3.2x3)
Effektförlust (max)
2W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2550pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47893 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RQ3E160ADTB
RQ3E160ADTB Elektroniska komponenter
RQ3E160ADTB Försäljning
RQ3E160ADTB Leverantör
RQ3E160ADTB Distributör
RQ3E160ADTB Datatabell
RQ3E160ADTB Foton
RQ3E160ADTB Pris
RQ3E160ADTB Erbjudande
RQ3E160ADTB Lägsta pris
RQ3E160ADTB Sök
RQ3E160ADTB Köp av
RQ3E160ADTB Chip