RQ3E120BNTB
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
Artikelnummer
RQ3E120BNTB
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-HSMT (3.2x3)
Effektförlust (max)
2W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45436 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RQ3E120BNTB
RQ3E120BNTB Elektroniska komponenter
RQ3E120BNTB Försäljning
RQ3E120BNTB Leverantör
RQ3E120BNTB Distributör
RQ3E120BNTB Datatabell
RQ3E120BNTB Foton
RQ3E120BNTB Pris
RQ3E120BNTB Erbjudande
RQ3E120BNTB Lägsta pris
RQ3E120BNTB Sök
RQ3E120BNTB Köp av
RQ3E120BNTB Chip