köpa Rohm Semiconductor R6004JND3TL1 MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

R6004JND3TL1

MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS

Artikelnummer

R6004JND3TL1

Tillverkare/varumärke

Rohm Semiconductor

Sektionsstatus

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Leverantörsenhetspaket

TO-252

Effektförlust (max)

60W (Tc)

FET typ

N-Channel

Dränera till spänningskälla (Vdss)

600V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

1.43 Ohm @ 2A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

7V @ 450µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 15V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 100V

Vgs (max)

±30V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

15V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 51263 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

R6000225XXYA