köpa Rohm Semiconductor R6003KND3TL1 MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

R6003KND3TL1

MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS

Artikelnummer

R6003KND3TL1

Tillverkare/varumärke

Rohm Semiconductor

Sektionsstatus

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Leverantörsenhetspaket

TO-252

Effektförlust (max)

44W (Tc)

FET typ

N-Channel

Dränera till spänningskälla (Vdss)

600V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 1mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

185pF @ 25V

Vgs (max)

±20V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 50116 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

R6000225XXYA