RJK60S7DPK-M0#T0
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
Artikelnummer
RJK60S7DPK-M0#T0
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3PSG
Leverantörsenhetspaket
TO-3PSG
Effektförlust (max)
227.2W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
+30V, -20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5913 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RJK60S7DPK-M0#T0
RJK60S7DPK-M0#T0 Elektroniska komponenter
RJK60S7DPK-M0#T0 Försäljning
RJK60S7DPK-M0#T0 Leverantör
RJK60S7DPK-M0#T0 Distributör
RJK60S7DPK-M0#T0 Datatabell
RJK60S7DPK-M0#T0 Foton
RJK60S7DPK-M0#T0 Pris
RJK60S7DPK-M0#T0 Erbjudande
RJK60S7DPK-M0#T0 Lägsta pris
RJK60S7DPK-M0#T0 Sök
RJK60S7DPK-M0#T0 Köp av
RJK60S7DPK-M0#T0 Chip