RJK6018DPM-00#T1
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Artikelnummer
RJK6018DPM-00#T1
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3PFM, SC-93-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3PFM
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
235 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28879 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RJK6018DPM-00#T1
RJK6018DPM-00#T1 Elektroniska komponenter
RJK6018DPM-00#T1 Försäljning
RJK6018DPM-00#T1 Leverantör
RJK6018DPM-00#T1 Distributör
RJK6018DPM-00#T1 Datatabell
RJK6018DPM-00#T1 Foton
RJK6018DPM-00#T1 Pris
RJK6018DPM-00#T1 Erbjudande
RJK6018DPM-00#T1 Lägsta pris
RJK6018DPM-00#T1 Sök
RJK6018DPM-00#T1 Köp av
RJK6018DPM-00#T1 Chip