RJK6014DPK-00#T0
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Artikelnummer
RJK6014DPK-00#T0
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3P
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
575 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12746 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RJK6014DPK-00#T0
RJK6014DPK-00#T0 Elektroniska komponenter
RJK6014DPK-00#T0 Försäljning
RJK6014DPK-00#T0 Leverantör
RJK6014DPK-00#T0 Distributör
RJK6014DPK-00#T0 Datatabell
RJK6014DPK-00#T0 Foton
RJK6014DPK-00#T0 Pris
RJK6014DPK-00#T0 Erbjudande
RJK6014DPK-00#T0 Lägsta pris
RJK6014DPK-00#T0 Sök
RJK6014DPK-00#T0 Köp av
RJK6014DPK-00#T0 Chip