HAT2160H-EL-E
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Artikelnummer
HAT2160H-EL-E
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-100, SOT-669
Leverantörsenhetspaket
LFPAK
Effektförlust (max)
30W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7750pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23494 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av HAT2160H-EL-E
HAT2160H-EL-E Elektroniska komponenter
HAT2160H-EL-E Försäljning
HAT2160H-EL-E Leverantör
HAT2160H-EL-E Distributör
HAT2160H-EL-E Datatabell
HAT2160H-EL-E Foton
HAT2160H-EL-E Pris
HAT2160H-EL-E Erbjudande
HAT2160H-EL-E Lägsta pris
HAT2160H-EL-E Sök
HAT2160H-EL-E Köp av
HAT2160H-EL-E Chip